立式氧化/扩散炉建模与调度研究

立式氧化/展开炉是半导体流水线前议事程序的要紧行动单位,它批量演技晶圆行动。,成批处理需求更长的工夫。,它是半导体流水线的次要瓶颈路段通道。。立式氧化/展开炉把持安装的效能直接的所有物晶圆创造的本钱,对准算法是把持安装高效运转的用铰链衔接。。本文率先着陆某典型立式氧化/展开炉的行动转换举行对付女朋友Petri网建模,将立式氧化/展开炉按作用划分为片架台、三种女朋友,翻钢机和技术腔。,分岔开展其女朋友Petri网。,用M举行女朋友相干身体的静态剖析。,建筑物出效能良好的立式氧化/展开炉行动转换的对付女朋友Petri网,鉴于女朋友的零碎把持软件功绩的根本转换;为了更远地剖析立式氧化/展开炉的单机对准和多机对准,组合艺术品其行动特点和创作约束开展了立式氧化/展开炉的对准混合Petri网,剖析并举办了对准算法中需求处理的成绩。。在上述的建模剖析参照系的根据,在可预测事实下设计了各式各样的典型的晶圆抵达工夫。,最低限度总填写工夫是目的。,鉴于微粒的群算 
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本文记载

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《中国1971集成巡回》2002年03期
中国1971集成巡回

展开炉(CVD)是要紧的行动单位通道。,其次要作用是掺杂半导体。,就是说,掺杂气质在低温下展开到硅片上。,到这程度互换和把持半导体内杂质的典型、浓度和散布,为了开展不同的的紧张的特点区域。尽管如此有些技术可以通道离子簇注射剂法来掺杂。,但热展开仍是次要精神错乱。、最经用的掺杂方式。硅的热氧化使硅外部与之发生反动。,长大床二氧化硅薄膜。氧化方式遏制干氧氧化和潮气两种。,展开炉是用TH配制品氧化层的强制的安装。展开炉是半导体集成巡回的根底安装。。 通道积年的黾勉,国际展开炉已模型国际市场。,它已译成进口出示的代理者。,程度展开炉与外部的区分十分小。。 跟随中国1971半导体技术的茂盛开展,铅直展开/氧化炉为8拖拉推动。、亚微米集成巡回流水线的要紧安装。异国公司看好中国1971的大市集。,如今由他们功绩的铅直展开/氧化炉出示,技术曾经年龄。。国际探究开动较晚。,加法各式各样的精神错乱。
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《计算器工程》1991年05期
计算器工程

一、引 半导体有根基的的创作技术,该有根基的在展开器说得中肯展开转换达到…长度2小时。,通常需求完完全全地把持展开高烧。。像某器件的展开高烧为1250±℃;并且跟随气质度的加法,通常需求把持高烧使不同率。。并且,在展开转换中在N。,H:,HCl,0。等毒想要展开。带有工厂的工厂轿车在炉内推动。。展开炉柄状物的人工把持,一方面,把持展开毒的工夫是不容易的。。在另一方面,展开工夫较长。,工蜂的劳动强度很强。。在绝对的创作转换中,炉子高烧有太大的违法。,或许高烧使不同率太大。,该有根基的会使变质或发生藐脊肉。,落得无资格的出示,出示效能弥散度较大。。合乎逻辑的推论是,咱们功绩了任何人可编程把持器来把持展开炉。。 二、把持律设计 眼前,创作转换把持安装,PID监控人员大衡量的50比一。。任何人简略的PID零碎遏制衡量监控人员器。,或衡量使结合成为整体监控人员器。,或衡量使结合成为整体导数监控人员器。。该零碎可以完完全全地。、即时、无弄错给出命令、把持。 展开炉炉温把持,眼前,它们大半是简略的。
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《微电子学》1985年01期
微电子学

刚才 鉴于对增大大度硅片成品率需求的不时增长,硅片行动与转移的天然产生的化也在改良。由于咱们需求把持复杂的技术参量。,在展开中采取上进的微处理器技术是强制的的。。三种实用的的高烧把持安装的几种设计方式,这些零碎的次要特点是与运营商联合任务举行熟食。。 跟随硅的度加法到六拖拉推动或更大,转换把持参量成为非常紧凑。。眼前,普通想要高烧漫游高达40。,其精确优于 C。。不管怎样,鉴于大直径使激动元件,F端的热降低价值。,惯例的三使激动区设计事实上是不行接纳的。。通道加法T来增大常温区的效能。。讯问三采暖面积零碎的高速。,五的独立的使激动区规定更无效的高烧把持和F。 新生代超大规模集成巡回 路怎样走?,必要的增加源自机具和柄状物员的微粒的毒害。。为了执行这一想要,可以采取类别和拖拉地降落零碎代表条约。,你也可以应用举升天然产生的装载零碎进入任何人。
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《餐厅出售的热食》1988年03期
餐厅出售的热食

一、序文 国际探究地位、用于创作超级强权半导体有根基的的有根基的,硅片低温展开后,需求拖拉变凉。。不管怎样,展开炉通常由模仿巡回把持,但不具有把持变凉的效能。。炉子的当然变凉太快了。,很不克不及执行变凉工夫的想要。。展开炉单元,大半数柄状物员常常对准电流限度局限或更新扣紧有根基的。。其劳动强度大。,变凉转换使弯曲难以完完全全地把持。,到这程度所有物出示整个的。 一 反向移动上述的成绩,作者制订了一种长工夫的变凉把持有根基的。。它可以终止地衔接展开炉及其衍生安装,也,它还可以装备休息MV表示。、P ID把持餐厅出售的热食。该有根基的可完成长工夫线性的变凉和COO的天然产生的把持。,还可完成多步变凉转换的半天然产生的把持。。 二、巡回结合及任务规律 变凉把持有根基的的紧张的规律图如F所示。。半导体分类有根基的,排列简略。它由以下做切片结合:第1做切片,单结振荡巡回,,BG-第1大节 变凉把持紧张的规律图压力比Q摆布。。振荡具有某个时代特征的为t=(丰集T 1)。!}上)c:1n—一≈,对准分压计。
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《云南云南师范大学会议记录(当然科学版)》2012年02期
云南云南师范大学会议记录(当然科学版)

展开转换是水晶硅太阳电池M的核心技术。。展开转换的最优化是现今很关怀的成绩。。展开模型p-n结的整个的,直接的所有物太阳能电池的电效能。。在现实创作转换中,管式展开炉说得中肯展开和掺杂转换是任何人复杂的pH值。。在展开环境,在展开槽中很难大师现实高烧场。、超速场、三个浓度场的相互作用。咱们以为,流场成分混杂的散布,高效太阳能电池工业化的最大后面的,展开炉内流体的散布的实质是流感成绩。而试验探究,参照系剖析和数值模仿是STU的三种根本方式。。近些年来,计算流体的力学(CFD)已开展译成一门十分年龄的学科。,它已成地应用于流体的机械和流体的工程。、水工、用上蓝剂于、事实、和休息技术掷还。。过来只通道试验中等的才干说服的非常水果,如今可以演习算流体的完完全全地地存在〔3〕。。同属一个时期的计算流体的力学的开展,普通平民的利演习算器模仿试验转换。、着陆SIMUL对试验安装举行最优化是可能性的。。本文采取计算流体的力学的方式。,设置太阳能电池创作管。
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